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BCR158WE6327HTSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: BCR158WE6327HTSA1
説明: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
ベース部材番号 BCR158
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT323-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 92 pcs

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