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FGH30N120FTDTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGH30N120FTDTU
説明: IGBT 1200V 60A 339W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 208nC
部地位 Obsolete
-マックス 339W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 -
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 730ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 90A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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