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SIA814DJ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIA814DJ-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ LITTLE FOOT®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 61mOhm @ 3.3A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 10V

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