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ALD1110ESAL

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: ALD1110ESAL
説明: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ EPAD®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
包装 Tube
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 600mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA
作動温度 0°C ~ 70°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 500Ohm @ 5V
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 10V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
現在25%で安全連続(id) @°c -

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