画像は参考までに、仕様書を参照してください
ALD1110ESAL
| メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | ALD1110ESAL |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | EPAD® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 包装 | Tube |
| fet特徴 | Standard |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 600mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| 作動温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 500Ohm @ 5V |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SOIC |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | - |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 10V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | - |
在庫が 76 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
最小: 1
要求引用
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