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ALD114913PAL

メーカー:	Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	ALD114913PAL
説明:	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	EPAD®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
包装	Tube
fet特徴	Depletion Mode
部地位	Active
-マックス	500mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.26V @ 1µA
作動温度	0°C ~ 70°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	500Ohm @ 2.7V
サプライヤー装置パッケージ	8-PDIP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	-
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	10.6V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
現在25%で安全連続(id) @°c	12mA, 3mA