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ALD212900APAL

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: ALD212900APAL
説明: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Advanced Linear Devices, Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ EPAD®, Zero Threshold™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 500mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 10mV @ 20µA
作動温度 0°C ~ 70°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14Ohm
サプライヤー装置パッケージ 8-PDIP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 10.6V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
現在25%で安全連続(id) @°c 80mA

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