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ALD212900APAL
| メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | ALD212900APAL |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | EPAD®, Zero Threshold™ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 包装 | Tube |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 500mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
| 作動温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 14Ohm |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-PDIP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | - |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 10.6V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 80mA |
在庫が 21 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.96 | $5.84 | $5.72 |
最小: 1
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