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BDV65C-S

メーカー: Bourns, Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BDV65C-S
説明: TRANS NPN DARL 120V 12A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Bourns, Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 3.5W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-218-3
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 BDV65
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-93
vイス(Max) @ Ib、Ic 2V @ 20mA, 5A
現在-コレクター・Ic (Max) 12A
トラッキング・キュートフ(マックス) 2mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 1000 @ 5A, 4V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

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