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NE856M02-AZ

メーカー: CEL
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: NE856M02-AZ
説明: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー CEL
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 12dB
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Obsolete
-マックス 1.2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-243AA
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 NE856
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 6.5GHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-89
騷音図(dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 50 @ 20mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 12V

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