画像は参考までに、仕様書を参照してください
2N3646
| メーカー: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2N3646 |
| 説明: | TRANSISTOR NPN TO-106 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-106-3 Domed |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 350MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-106 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 200mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 15V |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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