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2N5367

メーカー:	Central Semiconductor Corp
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2N5367
説明:	THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Central Semiconductor Corp
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Bulk
部地位	Active
-マックス	625mW
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-92
vイス(Max) @ Ib、Ic	1V @ 30mA, 300mA
現在-コレクター・Ic (Max)	300mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 50mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	40V