CP647-MJ11015-WN
メーカー: | Central Semiconductor Corp |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | CP647-MJ11015-WN |
説明: | TRANS PNP DARL 30A 120V DIE |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Central Semiconductor Corp |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Bulk |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | Die |
トランジスタタイプ | PNP - Darlington |
作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | Die |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 4V @ 300mA, 30A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 30A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 200 @ 30A, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 120V |
在庫が 66 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1