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CP647-MJ11015-WN

メーカー: Central Semiconductor Corp
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: CP647-MJ11015-WN
説明: TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Central Semiconductor Corp
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
トランジスタタイプ PNP - Darlington
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ Die
vイス(Max) @ Ib、Ic 4V @ 300mA, 30A
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 30A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

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