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CTLDM8120-M621H TR

メーカー: Central Semiconductor Corp
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: CTLDM8120-M621H TR
説明: MOSFET P-CH 20V DFN6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Central Semiconductor Corp
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max 8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.6W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ TLM621H
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 16V
現在25%で安全連続(id) @°c 950mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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