画像は参考までに、仕様書を参照してください

CXDM6053N TR

メーカー:	Central Semiconductor Corp
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	CXDM6053N TR
説明:	MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Central Semiconductor Corp
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	41mOhm @ 5.3A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-89
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V