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CDBGBSC101200-G

メーカー: Comchip Technology
対象品目: Diodes - Rectifiers - Arrays
データシート: CDBGBSC101200-G
説明: DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Comchip Technology
対象品目 Diodes - Rectifiers - Arrays
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
サプライヤー装置パッケージ TO-247
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 100µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
操作温度-接合部 -55°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) 18A (DC)

在庫が 53 pcs

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