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CDBGBSC201200-G
| メーカー: | Comchip Technology |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| データシート: | CDBGBSC201200-G |
| 説明: | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Comchip Technology |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247 |
| 反転回復時間(trr) | 0ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 100µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 175°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| 電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) | 25.9A (DC) |
在庫が 78 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $17.98 | $17.62 | $17.27 |
最小: 1
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