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CDBJSC10650-G

メーカー: Comchip Technology
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: CDBJSC10650-G
説明: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Comchip Technology
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-2 Full Pack
容量@ Vr, F 710pF @ 0V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-220F
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 100µA @ 650V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 650V
電流-平均整流器(Io) 10A (DC)
操作温度-接合部 -55°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A

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