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CY62147GN18-55BVXI

メーカー: Cypress Semiconductor Corp
対象品目: Memory
データシート: CY62147GN18-55BVXI
説明: IC SRAM 4M PARALLEL
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Cypress Semiconductor Corp
対象品目 Memory
シリーズ MoBL®
包装 Tray
技術 SRAM - Asynchronous
アクセス時間 55ns
メモリサイズ 4Mb (256K x 16)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 48-VFBGA
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.65V ~ 2.2V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 48-VFBGA (6x8)
サイクル時間−単語,ページを書く 55ns

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