画像は参考までに、仕様書を参照してください

CYDD18S36V18-200BBXC

メーカー: Cypress Semiconductor Corp
対象品目: Memory
データシート: CYDD18S36V18-200BBXC
説明: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Cypress Semiconductor Corp
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 SRAM - Dual Port, Synchronous
アクセス時間 500ps
メモリサイズ 18Mb (256K x 36 x 2)
メモリタイプ Volatile
部地位 Obsolete
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 256-LBGA
クロック周波数 200MHz
ベース部材番号 CYDD
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
作動温度 0°C ~ 70°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 256-FBGA (17x17)
サイクル時間−単語,ページを書く -

在庫が 51 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

CYDD18S36V18-167BBXI
Cypress Semiconductor Corp
$0
CYDD18S36V18-167BBXC
Cypress Semiconductor Corp
$0
IS41LV16105B-60KL
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS41LV16105B-50TLI-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS41LV16105B-50TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0