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2DB1132R-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2DB1132R-13
説明:	TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-243AA
トランジスタタイプ	PNP
ベース部材番号	2DB1132
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	190MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-89-3
vイス(Max) @ Ib、Ic	500mV @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max)	1A
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	180 @ 100mA, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	32V