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BC857BLP-7B

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BC857BLP-7B
説明: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-UFDFN
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 BC857BLP
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ 3-DFN1006 (1.0x0.6)
vイス(Max) @ Ib、Ic 650mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 15nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 220 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 45V

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