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DDTA115ECA-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DDTA115ECA-7
説明:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Discontinued at Digi-Key
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	PNP - Pre-Biased
ベース部材番号	DDTA115
抵抗基地(R1)	100 kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	100 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	82 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V