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DDTC114ELP-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DDTC114ELP-7
説明: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-UFDFN
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 DDTC114
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ 3-DFN1006 (1.0x0.6)
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 10mA, 70mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 3425 pcs

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