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DMG3415UFY4Q-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMG3415UFY4Q-7
説明: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 39mOhm @ 4A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 650mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ X2-DFN2015-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 16V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 282pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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