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DMG6601LVT-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMG6601LVT-7
説明: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 850mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ベース部材番号 DMG6601
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
サプライヤー装置パッケージ TSOT-26
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.8A, 2.5A

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