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DMG6602SVT-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMG6602SVT-7
説明: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位 Not For New Designs
-マックス 840mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ベース部材番号 DMG6602
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
サプライヤー装置パッケージ TSOT-23-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.4A, 2.8A

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