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DMJ70H1D3SJ3

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMJ70H1D3SJ3
説明:	MOSFET N-CH TO251
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.3Ohm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	41W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-251
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	351pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.6A (Tc)