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DMJ70H900HJ3

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMJ70H900HJ3
説明:	MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	900mOhm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	68W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-251
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	603pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V