Image is for reference only , details as Specifications

DMN1019USN-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN1019USN-7
説明:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	680mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SC-59
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	50.6nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.2V, 2.5V