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DMN1019UVT-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN1019UVT-13
説明:	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.73W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	TSOT-26
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	50.4nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2588pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	10.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.2V, 4.5V