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DMN1053UCP4-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN1053UCP4-7
説明:	MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	42mOhm @ 1A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.34W
サプライヤー装置パッケージ	X3-DSN0808-4
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	908pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.2V, 4.5V