Image is for reference only , details as Specifications

DMN10H170SK3Q-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN10H170SK3Q-13
説明:	MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	140mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V