画像は参考までに、仕様書を参照してください

DMN13H750S-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN13H750S-7
説明:	MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	750mOhm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス)	770mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	130V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	231pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V