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DMN2014LHAB-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN2014LHAB-7
説明:	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	800mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	13mOhm @ 4A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	U-DFN2030-6 (Type B)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A