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DMN2016LFG-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN2016LFG-7
説明: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 770mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerUDFN
ベース部材番号 DMN2016L
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ U-DFN3030-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.2A

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