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DMN2019UTS-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN2019UTS-13
説明: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 780mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ベース部材番号 DMN2019
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 18.5mOhm @ 7A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.4A

在庫が 4021 pcs

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