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DMN2022UNS-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN2022UNS-13
説明: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 1.2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerDI3333-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 10.7A (Ta)

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