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DMN2600UFB-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN2600UFB-7
説明:	MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	350mOhm @ 200mA, 4.5V
電力放蕩(マックス)	540mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	3-DFN1006 (1.0x0.6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.85nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	70.13pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V