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DMN3009LFVW-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMN3009LFVW-7
説明: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount, Wettable Flank
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PowerDI3333-8 (Type UX)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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