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DMN3013LDG-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN3013LDG-13
説明:	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	2.16W (Ta)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerLDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	14.3mOhm @ 4A, 8V
サプライヤー装置パッケージ	PowerDI3333-8 (Type D)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.5A (Ta), 15A (Tc)