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DMN3013LDG-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN3013LDG-7
説明: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 2.16W (Ta)
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerLDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V
サプライヤー装置パッケージ PowerDI3333-8 (Type D)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.5A (Ta), 15A (Tc)

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