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DMN3016LDN-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN3016LDN-13
説明:	MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	20mOhm @ 11A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	V-DFN3030-8 (Type J)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.2A (Ta)