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DMN3110LCP3-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN3110LCP3-7
説明:	MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	69mOhm @ 500mA, 8V
電力放蕩(マックス)	1.38W
サプライヤー装置パッケージ	X2-DFN1006-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.52nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 8V