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DMN3190LDW-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN3190LDW-7
説明: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 320mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ SOT-363
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 1A

在庫が 421459 pcs

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