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DMN3730UFB4-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN3730UFB4-7
説明:	MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	460mOhm @ 200mA, 4.5V
電力放蕩(マックス)	470mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	X2-DFN1006-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	64.3pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	750mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V