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DMN3900UFA-7B

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN3900UFA-7B
説明:	MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	760mOhm @ 200mA, 4.5V
電力放蕩(マックス)	390mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	X2-DFN0806-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	42.2pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	550mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V