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DMN61D8LVTQ-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN61D8LVTQ-13
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	820mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.8Ohm @ 150mA, 5V
サプライヤー装置パッケージ	TSOT-26
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c	630mA