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DMN62D0LFB-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMN62D0LFB-7
説明: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V
電力放蕩(マックス) 470mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 3-X1DFN1006
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 100mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.5V, 4V

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