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DMN65D8LDW-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN65D8LDW-7
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	300mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ベース部材番号	DMN65D8LDW
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6Ohm @ 115mA, 10V
サプライヤー装置パッケージ	SOT-363
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	180mA