Image is for reference only , details as Specifications

DMN67D8LDW-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMN67D8LDW-13
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	320mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V
サプライヤー装置パッケージ	SOT-363
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.82nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	230mA