Image is for reference only , details as Specifications

DMN90H8D5HCT

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMN90H8D5HCT
説明: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス) 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 900V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 80 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.12 $1.10 $1.08
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STD10LN80K5
STMicroelectronics
$1.11
R6006JNXC7G
ROHM Semiconductor
$1.1
STI6N80K5
STMicroelectronics
$1.1
SIE882DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0